Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Non-homogenous gamma process: Application to SiC MOSFET threshold voltage instability
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BSO - Titre
Non-homogenous gamma process: Application to SiC MOSFET threshold voltage instability
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DOI
DOI
10.1016/j.microrel.2017.06.007
XX
DOAI
DOAI
10.1016/j.microrel.2017.06.007
XX
Identifiant WoS
WOS:000409291200003
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Accès ouvert
OA - Non
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Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Non OA
XX
Editeur
Elsevier
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Source
MICROELECTRONICS RELIABILITY
XX
ISSN
0026-2714
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
2 - Acceptable
XX
CNRS
Oui
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CNRS - Institut
INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
XX
uid:/X4VGCSB4
12/10/2021 14:52:51 (latest)
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